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IRL3102PBF数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 61 A
Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 38.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 89 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
下降时间: 110 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: SP001576478
单位重量: 6 g
