发布企业：深圳市粤骏腾电子科技有限公司时间：2019-5-8 14:56:00
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IRL2203NPBF数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 16 V
Qg-栅极电荷: 40 nC
Pd-功率耗散: 130 W
配置: Single
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
零件号别名: SP001573688
单位重量: 6
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A?? | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A?? | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A?? | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
HEXFET? Power MOSFET | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Advanced Process Technology | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
HEXFET? Power MOSFET | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Advanced Process Technology | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Advanced Process Technology | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A?? | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR | 23+ | TO-263 | 65400 | ||||
IR | TO263 | 7906200 | |||||
Infineon(英飞凌) | 23+ | TO220 | 13236 | 正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 | |||
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IR | 23+ | TO-220 | 20540 | 保证进口原装现货假一赔十 | |||
Infineon(英飞凌) | 23+ | D2PAK | 8357 | 支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
