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IRF7342QTRPBF数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 3.4 A
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 25.3 nC
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Dual
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
晶体管类型: 2 P-Channel
宽度: 3.9 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
子类别: MOSFETs
单位重量: 540 mg
