制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 185 mA
Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 1.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: TP0
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 80 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: TP0610K-GE3
单位重量: 8 mg
