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IRF2907ZS-7PPBF数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 170 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon / IR
正向跨导 - 最小值: 94 S
下降时间: 44 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 90 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 92 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
零件号别名: SP001559526
单位重量: 1.600 g
