SPA07N60C3

时间：2019-4-24 9:52:00

SPA07N60C3

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 4.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 27nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 790pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 32W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 PG-TO220-FP

封装/外壳 TO-220-3 整包

型号查询	功能描述	生产厂家&企业
SPA07N60C3	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SPA07N60C3	Cool MOS??Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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2024-4-26 17:21:00