时间：2019-4-17 9:29:00
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 135pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SuperSOT-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   | |
P-Channel MOSFET | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 |  | | |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
35A 200V Rectifying bridge |  | | ||
35A 200V Rectifying bridge | | | ||
85V Detection switch tube | | | ||
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | | | ||
Celeron D Processor | IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司） |  | | |
An extensive range of premium quality, problem solving adapters including 1/4, XLR, RCA, DMX, BNC, 75/110 Ohm, impedance matching transformers, and much more. | SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd. |  | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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