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IXGM20N60A	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighspeedIGBT Features lInternationalstandardpackages l2ndgenerationHDMOSTMprocess lLowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses lHighcurrenthandlingcapability lMOSGateturn-on -drivesimplicity lVoltageratingguaranteedat	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGM20N60A	封装/外壳：TO-204AE 包装：管件描述：POWER MOSFET TO-3 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
20N60	20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
20N60B	HiPerFASTIGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
20N60	FastSwitching 文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
20N60	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET 文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
20N60A	20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor 文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司

IXGM20N60A产品属性

类型
描述
型号
IXGM20N60A
制造商
IXYS Corporation

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更新时间：2024-5-11 22:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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