制造商 IXYS
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 145 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 37 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2190 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 37W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
器件封装 TO-220 隔离的标片
封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片