IXFT60N60X3HV

发布企业:深圳市科雨电子有限公司时间:2022-8-11 11:00:00

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IXFT60N60X3HV

製造商: IXYS

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: TO-268HV-2

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V

Id - C連續漏極電流: 60 A

Rds On - 漏-源電阻: 51 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 5 V

Qg - 閘極充電: 51 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 625 W

通道模式: Enhancement

公司名稱: HiPerFET

封裝: Tube

品牌: IXYS

配置: Single

下降時間: 5 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 18 ns

30

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

標準斷開延遲時間: 76 ns

標準開啟延遲時間: 35 ns

2024-5-1 11:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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