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IRG4BC10价格

参考价格：￥6.7890

型号：IRG4BC10KDPBF 品牌：International 备注：这里有IRG4BC10多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC10批发/采购报价，IRG4BC10行情走势销售排行榜，IRG4BC10报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4BC10K

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Bene

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IRG4BC10KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

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IRG4BC10KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

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IRG4BC10KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedw

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IRG4BC10KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedw

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IRG4BC10S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A)

Features •Extremelylowvoltagedrop;1.1Vtypicalat2A •S-Speed:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives,upto2KHzinChopperApplications •VeryTightVce(on)distribution •IndustrystandardTO-220ABpackage Benef

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IRG4BC10SD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

StandardSpeedCoPackIGBT Features •Extremelylowvoltagedrop1.1Vtyp.@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-so

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IRG4BC10SDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

StandardSpeedCoPackIGBT Features •Extremelylowvoltagedrop1.1Vtyp.@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-so

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IRG4BC10SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •Extremelylowvoltagedrop;1.1Vtypicalat2A •S-Speed:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives,upto2KHzinChopperApplications •VeryTightVce(on)distribution •IndustrystandardTO-220ABpackage •

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IRG4BC10UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating upto80kHzinhardswitching,>200kHzin resonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousGeneration •IGBTco-packagedwith

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IRG4BC10KDPBF

Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol

文件：274.8 Kbytes Page：11 Pages

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IRG4BC10KDPBF

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 9A 38W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon
IRG4BC10KDPBF_15

Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol

文件：274.8 Kbytes Page：11 Pages

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IRG4BC10KPBF

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 9A 38W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon
IRG4BC10SD-L

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

文件：217.89 Kbytes Page：12 Pages

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IRG4BC10SD-L

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A)

文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages

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IRG4BC10SD-LPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages

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IRF
IRG4BC10SD-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

文件：217.89 Kbytes Page：12 Pages

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英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRG4BC10SD-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A)

文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRG4BC10SD-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRG4BC10UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISROTWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODEUltraFastCoPackIGBT

文件：323.01 Kbytes Page：11 Pages

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IRF
IRG4BC10UDPBF

INDUSTRYSTANDARDTO-220ABPACKAGE

文件：323.97 Kbytes Page：11 Pages

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英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRG4BC10UDPBF_15

INDUSTRYSTANDARDTO-220ABPACKAGE

文件：323.97 Kbytes Page：11 Pages

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IRF

IRG4BC10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC10

  • 功能描述

    IGBT UFAST 600V 9.0A TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    3V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

IRG4BC10供应商更多...

更新时间：2024-6-14 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
IRG4BC10UDPBF
IR
2020+
TO-220
8000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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深圳市深创辉科技有限公司
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原装正品长期供货，如假包赔包换 徐小姐13714450367
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深圳市博浩通科技有限公司
IRG4BC10UD
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深圳市艾宇欣科技有限公司
IRG4BC10UDPBF
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深圳市环球伟业电子有限公司
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深圳市达恩科技有限公司
IRG4BC10UDPBF
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3000
进口原装正品优势供应QQ3171516190
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深圳市昌和盛利电子有限公司
IRG4BC10UD
IR
23+
TO-220
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深圳市明嘉莱科技有限公司
IRG4BC10UD
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
IRG4BC10UD
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深圳市汇莱威科技有限公司
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