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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRG4BC10SD-LPBF | INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE 文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IRG4BC10SD-LPBF | 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：管件 描述：IGBT 600V 14A 38W TO262 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
ShortCircuitRatedUltraFastIGBT ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Bene | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedw | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol 文件：274.8 Kbytes Page：11 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IRG4BC10SD-LPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC10SD-LPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
7750 |
全新原装优势 |
|||
IR/International Rectifier/国 |
21+ |
TO-262 |
6000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ADI |
2022+ |
LFCSP |
6000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
2800 |
原厂原装正品 |
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IR |
2022 |
TO-262 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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IR |
TO-262 |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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IR |
2024+实力库存 |
TO-262 |
6000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
07+/08+ |
TO-262-3 |
245 |
IRG4BC10SD-LPBF芯片相关品牌
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IRG4BC10SD-LPBF参数引脚图相关
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2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性参数值 商品目录IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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