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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRG4BC10SD-SPBF | INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE 文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
ShortCircuitRatedUltraFastIGBT ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Bene | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedw | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol 文件：274.8 Kbytes Page：11 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IRG4BC10SD-SPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC10SD-SPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
IR |
2016+ |
TO-220 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
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Infineon Technologies |
21+ |
TO220AB |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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IR |
23+ |
D2PAK |
7750 |
全新原装优势 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
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IR |
22+23+ |
TO-220 |
28953 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
07+/08+ |
TO-263 |
223 |
||||
IR |
TO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
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IRG4BC10SD-SPBF芯片相关品牌
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属性参数值 商品目录IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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