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位置：首页 > IC中文资料第3183页 > IRF9Z24

IRF9Z24价格

参考价格：￥1.5816

型号：IRF9Z24NPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF9Z24多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF9Z24批发/采购报价，IRF9Z24行情走势销售排行榜，IRF9Z24报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF9Z24

POWERMOSFET

Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissi

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

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IRF9Z24

P-CHANNELPOWERMOSFETs

FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightmeperaturereliability

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung
IRF9Z24

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRF9Z24

PowerMOSFET

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IRF9Z24

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：280.77 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF9Z24

PowerMOSFET

文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages

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威世科技

Vishay
IRF9Z24L

AdvancedProcessTechnology

Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. ●AdvancedProcessTe

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF9Z24L

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

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Vishay
IRF9Z24L

PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.28ohm,Id=-11A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

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IRF9Z24LPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRF9Z24N

PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-12A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

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IRF9Z24N

-55VP-ChannelMOSFET

Features VDS(V)=-55V ID=-12A(VGS=-10V) RDS(ON)

UMWUMW

友台友台半导体

UMW
IRF9Z24NL

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

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IRF9Z24NL

PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-12A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

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IRF9Z24NLPBF

HEXFETPowerMOSFET

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IRF9Z24NPBF

HEXFETPowerMOSFET

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IRF9Z24NS

PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-12A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

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IRF9Z24NS

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

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英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF9Z24NSPBF

HEXFETPowerMOSFET

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英飞凌英飞凌科技公司

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IRF9Z24NSTRR

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

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英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF9Z24PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

VishayVishay Siliconix

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IRF9Z24S

PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.28ohm,Id=-11A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

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IRF
IRF9Z24S

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

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Vishay
IRF9Z24S

PowerMOSFET

FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surfacemount(IRF9Z24S,SiHF9Z24S) •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •P-channel •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesin

VishayVishay Siliconix

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Vishay
IRF9Z24S_V01

PowerMOSFET

FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surfacemount(IRF9Z24S,SiHF9Z24S) •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •P-channel •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesin

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRF9Z24SPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRF9Z24STRL

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRF9Z24STRLPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRF9Z24STRR

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRF9Z24STRRPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRF9Z24_17

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRF9Z24_V01

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRF9Z24N

AdvancedProcessTechnology

文件：720.61 Kbytes Page：8 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF9Z24NLPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF9Z24NLPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

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IRF9Z24NPBF

Lead-Free

文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages

IRFInternational Rectifier

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IRF
IRF9Z24NPBF_15

Lead-Free

文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF9Z24NS

AdvancedProcessTechnology

文件：1.09621 Mbytes Page：10 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF9Z24NS

P-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：931.36 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
IRF9Z24NSPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

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IRF9Z24NSPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF9Z24NSPBF_15

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

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IRF
IRF9Z24NSTRLPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

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IRF9Z24PBF

powermosfet

文件：1.50137 Mbytes Page：8 Pages

IRFInternational Rectifier

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IRF
IRF9Z24PBF

PowerMOSFET

文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

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Vishay
IRF9Z24PBF-BE3

PowerMOSFET

文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

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Vishay
IRF9Z24SPBF

PowerMOSFET

文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages

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IRF9Z24STRLPBFA

PowerMOSFET

文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages

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IRF9Z24STRRPBFA

PowerMOSFET

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Vishay

IRF9Z24产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9Z24

  • 功能描述

    MOSFET P-Chan 60V 11 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRF9Z24供应商更多...

更新时间：2024-5-14 15:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市卓越微芯电子有限公司
IRF9Z24NPBF
IR
2020+
TO-220
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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深圳市芯祺盛科技有限公司
IRF9Z24NPBF
IR-MX
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TO220
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
IRF9Z24NPBF
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深圳市锦喆鸿电子有限公司
IRF9Z24NPBF
INFINEON
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22+/23+
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原装正品 价格优势
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深圳市中赛美电子科技有限公司
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Infineon/英飞凌
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12700
买原装认准中赛美
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上海磐岳电子有限公司
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2023+
TO-220
5800
进口原装,现货热卖
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深圳市宇集芯电子有限公司
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深圳市赛能新源半导体有限公司
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    IRF9332TRPBF经营原装正品IC

    2020-8-27

  • IRF9Z24NPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

    2020-4-18

  • IRFB3607PBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

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