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IRF9Z24NL

PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-12A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF9Z24NL

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

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IRF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

POWERMOSFET

Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissi

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IRF

P-CHANNELPOWERMOSFETs

FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightmeperaturereliability

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:280.77 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PowerMOSFET

文件:277.52 Kbytes Page:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

HEXFETPowerMOSFET

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IRF

AdvancedProcessTechnology

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ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

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IRF

IRF9Z24NL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9Z24NL

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 55V 12A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-15 17:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
21+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
13880
公司只售原装,支持实单
IR
23+
TO-262
35890
IR
23+
NA/
4250
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
08+(pbfree)
TO-262
8866
IR
23+
TO-262
8600
全新原装现货
VISHAY-威世
24+25+/26+27+
TO-262-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
Infineon Technologies
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原厂渠道,现货配单
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon Technologies
23+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原装正品,支持实单
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货

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    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

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    2020-4-18