IRF9Z24NPBF价格

参考价格:¥1.5816

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF9Z24NPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF9Z24NPBF

Lead-Free

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

POWERMOSFET

Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissi

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

P-CHANNELPOWERMOSFETs

FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightmeperaturereliability

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRF9Z24NPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9Z24NPBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-15 21:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
新批次
原装正品
33000
3月30更新微信报价 可提供技术PDF
INFINEON/IR
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NA
3400
20年老字号,原装优势长期供货
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IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13
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21+
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INFINEON/英飞凌
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  • IRF9Z24NPBF

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    2020-4-18
  • IRFB3607PBF

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    2020-4-18