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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 1200 V, D1, DPAK-3L

Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil

ONSEMI

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Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 8 A

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TAIYO-YUDEN

太阳诱电

更新时间:2025-12-29 23:00:01
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    2013-3-12