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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FFSP08120A | Silicon Carbide Schottky Diode 文件：294.48 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSP08120A | 封装/外壳：TO-220-2 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSP08120A | SiC 二极管，1200V，8A，TO-220-2 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 1200 V, D1, DPAK-3L Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 8 A 文件：465.3 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 8 A 文件：465.3 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
RADIAL LEADED INDUCTORS 文件：677.5 Kbytes Page：20 Pages | TAIYO-YUDEN 太阳诱电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
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TO2202 |
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2020-4-8
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