| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 1200 V, D1, DPAK-3L Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 8 A 文件：465.3 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 8 A 文件：465.3 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TAIYO/太诱 |
24+ |
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TAIYO/太诱 |
2450+ |
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TAIYO/太诱 |
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TAIYO |
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Taiyo Yuden |
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2019-12-25
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