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AFGH75T65SQ	Trench gate Field-Stop IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.1V@IC=75A · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Industrial Drives · Solar Inverters	ISC 无锡固电	ISC
AFGHL75T65SQDC	IGBT – Hybrid, Field Stop, Trench 650 V, 75 A, TO247 Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the 1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL75T65SQDC offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations in various applications, especially totem pole bridgeless	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
AFGHL75T65SQ	Field Stop Trench IGBT 文件：246.44 Kbytes Page：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
AFGHL75T65SQD	Field Stop Trench IGBT 650 V, 75 A 文件：340.62 Kbytes Page：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
AFGHL75T65SQDC	Hybrid Field Stop Trench IGBT 650 V, 75 A, TO247 文件：261.649 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更新时间：2026-2-12 22:59:01

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Z50FF3LL高压二极管 - 引线成型
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2025-8-4
ZB25VQ32BSIG
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2021-6-9
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2021-5-14
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2020-7-2
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