| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET Description Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of Power MOSFETs with outstanding performances. The new patented STrip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(ON) per area, e | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.024Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel 200V - 0.022廓 - 100A - Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET 文件：232.19 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
Max247-3 |
12700 |
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ST/意法 |
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N |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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2019-12-2
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