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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
6N60	6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET  DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications	UTC 友顺	UTC
6N60	Avalanche Energy Specified DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements	ISC 无锡固电	ISC
6N60	N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET 文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
6N60	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC
6N60	N-Channel Power MOSFET 文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI

XTW6N60E供应商更多...

更新时间：2025-12-26 18:20:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2023-5-11
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2020-7-28
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2020-7-28
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