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RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology

DESCRIPTION The LET21030C is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 2.1 GHz. The LET21030C is designed for high gain and broadband performance operating in common source

STMICROELECTRONICS

意法半导体

30 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

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更新时间:2025-12-25 18:19:01
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