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XNT30N60T

IGBT单管

Invsemi

芯能半导体

BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris

Bourns

伯恩斯

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode

文件:1.9827 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER

文件:672.35 Kbytes Page:15 Pages

DIODES

美台半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:281.61 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:264.01 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

更新时间:2025-12-23 23:00:00
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