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60VN-CHANNELENHANCEMENTMODE

DESCRIPTION TheAM3460isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES BV≥60VID=3A RDS(ON)≤90mΩ@VGS=10V RDS(ON)≤110mΩ@VGS=5V Advancedtrenchcelldesign Highspeedswitch AvailableinSOT-23SPackage APPLICATION Portableappliances Notebook/PCappliances PowerManage

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AITSEMI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO3460/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V,inthesmallSOT-23footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlo

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

N-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=60V ●ID=0.65A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

Heyco®OriginalSeries-35LiquidTightCordgrips

文件:264.32 Kbytes Page:1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Heyco

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:115.84 Kbytes Page:3 Pages

AnalogPower

Analog Power

AnalogPower
更新时间:2025-8-4 22:58:01
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    2020-11-12
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