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WSP8212

Dual N-Channel MOSFET

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WIINSOK

微硕半导体

WSP8212

Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

WSP8212

低压场效应管(0-30V)

WIINSOK

微硕半导体

Analog Video, RG59, #20 Solid BCCS, 95 BC Braid, PE Jacket

Product Description 20 AWG solid .032 bare copper-covered steel conductor, foam polyethylene insulation, bare copper braid shield (95 coverage), polyethylene jacket.

BELDEN

百通

Common Drain N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD

Description The ACE8212B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They offer operation over a wide gate drive range from 1.8V to 12V. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by

ACE

INSULATED RING TONGUE TERMINAL

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

DC axial fans

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EBMPAPST

依必安派特

High Voltage Current Shunt Monitor

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亚德诺

更新时间:2025-12-29 9:41:00
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986966
国产

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