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ACE8212B中文资料

厂家型号

ACE8212B

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9

功能描述

Common Drain N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD

数据手册

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生产厂商

ACE

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Description

The ACE8212B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They offer operation over a wide gate drive range from 1.8V to 12V. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration.

Features

• VDS(V)=20V

• ID=8A (VGS=10V)

• TSSOP-8

   RDS(ON)<13 mΩ (VGS=10V)

   RDS(ON)<14 mΩ (VGS=4.5V)

   RDS(ON)<19 mΩ (VGS=2.5V)

   RDS(ON)<27 mΩ (VGS=1.8V)

• DFN2*5

   RDS(ON)<13 mΩ (VGS=10V)

   RDS(ON)<16 mΩ (VGS=4.5V)

   RDS(ON)<22 mΩ (VGS=2.5V)

   RDS(ON)<35 mΩ (VGS=1.8V)

• ESD Protected: 2000V

 

ACE8212B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ACE8212B

  • 制造商

    ACE

  • 制造商全称

    ACE Technology Co., LTD.

  • 功能描述

    Common Drain N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD

更新时间:2025-9-26 16:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ACE
23+
SOT23-5
15000
全新原装现货,价格优势
ACE
24+
TSSOP-8
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
ACE
23+
TSSOP-8
50000
原装正品 支持实单
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24+
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3200
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NK/南科功率
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