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WSF40P06

中压场效应管(30-100V)

WIINSOK

微硕半导体

P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS ‐60V RDSON (MAX.) 62mΩ ID ‐17A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE40P06J uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. General Features ● VDS = -40V,ID = -6A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

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微碧半导体

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HMSEMI

华之美半导体

更新时间:2025-12-29 23:01:00
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