| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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DTU40P06 | P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：979.88 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐60V RDSON (MAX.) 62mΩ ID ‐17A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free | EXCELLIANCE 杰力科技 | | ||
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40P06J uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. General Features ● VDS = -40V,ID = -6A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司 | | ||
P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.94327 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：363.17 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-11-23DUR01-05S05，进口原装现货热卖中........
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2019-3-7
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