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Rectifier Diodes

FEATURES High density cell design for ultra low Rps(on) ® Excellent package for good heat dissipation Fully characterized Avalanche voltage and current ® Special process technology for high ESD capability Good stability and uniformity with high Eas Excellent package for good heat dissipation

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Featurese 30V, 100A Rosow 3.88mQ@Ves = 10V (Typ) «Advanced Trench Technology + Provide Excellent Rosco and Low Gate Charge « Lead free product is acquired

TECHPUBLIC

台舟电子

30V N-Channel Power

Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.8 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.4mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capacitances

UMW

友台半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.62203 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

90A竊?0V N-CHANNEL MOSFET

文件:212.13 Kbytes Page:5 Pages

KIA

可易亚半导体

更新时间:2025-12-29 10:00:01
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    一般描述 该WSL431是3终端,规定工作温度范围内适用的商业热稳定性可调电压基准。输出电压可设置之间的任何电压Vref(2.505V)和20V两种(见图2)外部电阻值。 当与光耦合器使用,是一种理想的WSL431在隔离反馈电路的电压为2.505V至12V的参考开关模式电源。该器件的典型输出阻抗的o.1Ω。主动输出电路提供了一个非常尖锐的导通特性,使优秀WSL431在许多应用中替代齐纳二极管,包括板规例及可调电源。 特点 •精确的参考电压2.505V •保证0.5%,1%和2%的参考电压容

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