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SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V ·Very fast and robust intrinsic body diode ·Extremely low gate charge and input capacitances APPLICATIONS ·Power supply for renewable energy systems ·High frequency DC-DC conve

ISC

无锡固电

E Series Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

更新时间:2025-8-17 11:26:01
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