| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SCTW90N65 | SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V ·Very fast and robust intrinsic body diode ·Extremely low gate charge and input capacitances APPLICATIONS ·Power supply for renewable energy systems ·High frequency DC-DC conve | ISC 无锡固电 |   | |
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C)in an HiP247 package Features • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) • Very fast and robust intrinsic body diode • Extremely low gate charge and input capacitances Applications • Switching applications • Power supply for renewable energy systems • High frequency DC-DC converte | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：136.02 Kbytes Page：7 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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