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SCTW90N65

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V ·Very fast and robust intrinsic body diode ·Extremely low gate charge and input capacitances APPLICATIONS ·Power supply for renewable energy systems ·High frequency DC-DC conve

ISC

无锡固电

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C)in an HiP247 package

Features • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) • Very fast and robust intrinsic body diode • Extremely low gate charge and input capacitances Applications • Switching applications • Power supply for renewable energy systems • High frequency DC-DC converte

STMICROELECTRONICS

意法半导体

碳化硅功率MOSFET,650 V、119 A、18 mOhm(典型值,TJ = 25 C),HiP247封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

E Series Power MOSFET

文件:136.02 Kbytes Page:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2026-1-1 11:18:00
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