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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
W7NB80 | N-CHANNEL 800V - 1.6ohm - 6.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
W7NB80 | N-CHANNEL 800V - 1.6ohm - 6.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 6.5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 6.5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 6.5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
W7NB80产品属性
- 类型
描述
- 型号
W7NB80
- 制造商
STMICROELECTRONICS
- 制造商全称
STMicroelectronics
- 功能描述
N-CHANNEL 800V - 1.6ohm - 6.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3350 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
ST |
2025+ |
TO-3P |
3635 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
ST |
2450+ |
TO-247 |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
|||
ST |
23+ |
TO-247 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ST |
25+ |
TO-3P |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
SchneiderElectric/Magnec |
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
||||
ST |
NEW |
TO-3P |
12335 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
ST |
2511 |
TO-3P |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ST |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-247 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
W7NB80规格书下载地址
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2013-2-10
DdatasheetPDF页码索引
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