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Trench and Field Stop IGBT

DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.5V@IC=40A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Swithching ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·Automotive Chargers ·UPS,PFC ·Hig

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N-channel 600V - 50A - Max247 Very fast PowerMESH IGBT

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意法半导体

N-channel 50A - 600V - ISOTOP Very fast PowerMESTM IGBT

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意法半导体

N-channel 50A - 600V - ISOTOP Ultra fast switching PowerMESHTM IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 55A - TO-247

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意法半导体

更新时间:2025-8-12 17:18:01
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