型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Trench and Field Stop IGBT DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.5V@IC=40A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Swithching ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·Automotive Chargers ·UPS,PFC ·Hig | ISC 无锡固电 | |||
N-channel 600V - 50A - Max247 Very fast PowerMESH IGBT 文件:134.48 Kbytes Page:11 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
N-channel 50A - 600V - ISOTOP Very fast PowerMESTM IGBT 文件:292.62 Kbytes Page:14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
N-channel 50A - 600V - ISOTOP Ultra fast switching PowerMESHTM IGBT 文件:289.28 Kbytes Page:14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
N-channel 600V - 55A - TO-247 文件:289.15 Kbytes Page:14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法半导体 |
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2020-3-29
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