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N-CHANNEL600V-0.48ohm-12ATO-247PowerMeshIIMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESHIIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-24 20:00:01
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