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STW12NC60

N-CHANNEL 600V - 0.48ohm - 12A TO-247 PowerMeshII MOSFET

DESCRIPTION The PowerMESH II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the lead ing edge for what concerns swithing speed, gate charge and ruggedness. ■ TYPICAL RDS(

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STW12NC60

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.55Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STW12NC60

N-CHANNEL 600V - 0.48ohm - 12A TO-247 PowerMeshII MOSFET

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STW12NC60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW12NC60

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    N-CHANNEL 600V - 0.48ohm - 12A TO-247 PowerMeshII MOSFET

更新时间:2025-11-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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