| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package DESCRIPTION The LET21008 is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 26 V in common source mode at frequencies up to 2.1 GHz. LET21008 boasts the excellent | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
GaAs Varactor Diodes Abrupt Junction Description Microsemi’s GaAs abrupt junction varactors are fabricated from epitaxial layers grown at Microsemi using Chemical Vapor Deposition. The layers are processed using proprietary techniques resulting in a high Q factor and very repeatable tuning curves. The diodes are available in a varie | Microsemi 美高森美 | | ||
Capacitive Sensor Switch Control IC 文件：698.67 Kbytes Page：17 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
GaN Doherty Hybrid Amplifier 文件：482.78 Kbytes Page：4 Pages | RFHIC | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Vxr7-2800SDC-DC转换器
2023-12-19VZ6SH1B0060711
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VXR100-283R3S VXR100-2800S针对从军用地面车辆到商用和军用飞机的广泛应用进行了优化，适用于恶劣环境，包括严重振动、冲击和温度循环。
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2021-6-3W23-X1A1G-10电路保护断路器与附件X芯片IC断路器贸泽微电子
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2020-1-7VZH470M1VTR-0606K
VZH470M1VTR-0606K，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-10-10
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