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LET21008

RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package

DESCRIPTION The LET21008 is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 26 V in common source mode at frequencies up to 2.1 GHz. LET21008 boasts the excellent

STMICROELECTRONICS

意法半导体

GaAs Varactor Diodes Abrupt Junction

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rfhic

更新时间:2025-8-10 21:16:00
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