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VFT2080C价格
参考价格：￥3.6965
型号：VFT2080C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有VFT2080C多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VFT2080C批发/采购报价，VFT2080C行情走势销售排行榜，VFT2080C报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VFT2080C | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VFT2080C | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VFT2080C | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Schottky technology FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
肖特基二极管与整流器 20A,80V,Trench | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 80V ITO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.69 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 80V ITO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
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VFT2080C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VFT2080C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY |
24+ |
原厂封装 |
68000 |
VISHAY代理原包原盒,假一罚十。最低价 |
|||
VSHAY |
2010+ |
TO-220 |
6000 |
普通 |
|||
24+ |
N/A |
54000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Siliconix / Vishay |
2022+ |
2159 |
全新原装 货期两周 |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
22+ |
TO-220F |
20000 |
只做原装 |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
ITO-220A |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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VFT2080C数据表相关新闻
VDS1022
优势渠道
2023-6-27VEMI85AA-HGK-GS08
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2023-4-20VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
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2021-6-10vH5MS1G22MFP-J3
H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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