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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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VFT2080C-M3-4W | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世科技 |   | |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世科技 | |
VFT2080C-M3-4W产品属性
- 类型
描述
- 型号
VFT2080C-M3-4W
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
ITO-220A |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
54000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
||||
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Siliconix / Vishay |
2022+ |
2159 |
全新原装 货期两周 |
||||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
ITO220AB |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
ASI |
24+ |
260 |
现货供应 |
||||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO220F2 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3332 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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2019-9-25
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