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VFT2080C-E3价格
参考价格：￥3.6965
型号：VFT2080C-E3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有VFT2080C-E3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VFT2080C-E3批发/采购报价，VFT2080C-E3行情走势销售排行榜，VFT2080C-E3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VFT2080C-E3 | Trench MOS Schottky technology FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世科技 |   | |
VFT2080C-E3 | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VFT2080C-E3 | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.74 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VFT2080C-E3 | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
肖特基二极管与整流器 20A,80V,Trench | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.69 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 80V ITO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.69 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter | ISC 无锡固电 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Trench MOS Schottky technology FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.74 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | |
VFT2080C-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
VFT2080C-E3
- 功能描述
肖特基二极管与整流器 20A,80V,Trench
- RoHS
否
- 制造商
Skyworks Solutions, Inc.
- 产品
Schottky Diodes
- 峰值反向电压
2 V
- 正向连续电流
50 mA
- 配置
Crossover Quad
- 正向电压下降
370 mV
- 最大功率耗散
75 mW
- 工作温度范围
- 65 C to + 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-143
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
ITO-220A |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
54000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
ITO220AB |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
ASI |
24+ |
260 |
现货供应 |
||||
VISHAY |
24+ |
原厂封装 |
68000 |
VISHAY代理原包原盒,假一罚十。最低价 |
|||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO220F2 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3332 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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VFT2080C-E3规格书下载地址
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VFT2080C-E3数据表相关新闻
VDS1022
优势渠道
2023-6-27VEMI85AA-HGK-GS08
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2023-4-20VDRUS14X385BSE
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2021-8-17VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
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2021-6-10vH5MS1G22MFP-J3
H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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