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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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VF30M120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：615.73 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation; | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Schottky technology 文件：92.17 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：615.73 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 120V ITO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：615.73 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Power Schottky rectifier 文件：167.64 Kbytes Page：8 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Low forward voltage drop, low power losses 文件：144.59 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：105.26 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
VF30M120C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VF30M120C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
20+ |
TO220F-3 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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VISHAY |
1342+ |
TO220F-3 |
900 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
25+ |
SOT5 |
3629 |
原装优势!房间现货!欢迎来电! |
||||
VISHAY |
26+ |
SOT23-5L |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
VISHAY |
25+23+ |
TO-220F |
27183 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
22+ |
TO-220F |
20000 |
只做原装 |
||||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-220F |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
|||
VISHAY |
17+ |
TO220F-3 |
6200 |
||||
GS |
2023+ |
TO-220 |
50000 |
原装现货 |
VF30M120C规格书下载地址
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2019-9-25
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