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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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VF30M120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：615.73 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Schottky technology 文件：92.17 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 120V ITO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：615.73 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：615.73 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Power Schottky rectifier 文件：167.64 Kbytes Page：8 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Low forward voltage drop, low power losses 文件：144.59 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：105.26 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
VF30M120C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VF30M120C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-9-25
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