位置：首页 > IC中文资料 > VF30M120C-M3_V01
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VF30M120C-M3_V01 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   |
更新时间：2025-10-16 19:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ICS |
24+ |
BGA |
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全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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MODULE |
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