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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VF20M120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：612.2 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation; | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Schottky technology 文件：91.53 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V ITO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：612.2 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：81.95 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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Power Schottky rectifier 文件：187.7 Kbytes Page：8 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Low forward voltage drop, low power losses 文件：141.98 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：598.1 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Low forward voltage drop, low power losses 文件：141.98 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
VF20M120C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VF20M120C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2450+ |
TO-220F |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
VISHAY |
24+ |
ITO220A |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-200F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Vishay(威世) |
26+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
TO-220F |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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VISHAY |
24+ |
TO220F |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
|||
VISHAY |
24+ |
TO-220F |
36500 |
原装现货/放心购买 |
|||
VISHAY/威世 |
14+ |
NA |
100 |
终端备货原装现货-军工器件供应商 |
VF20M120C规格书下载地址
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优势渠道
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H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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