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50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod

UTC

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50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

更新时间:2025-12-27 13:08:01
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    VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.

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    VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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    VC7645,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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