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VBT6045C价格

参考价格：￥9.0998

型号：VBT6045CBP-E3/8W 品牌：Vishay 备注：这里有VBT6045C多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VBT6045C批发/采购报价，VBT6045C行情走势销售排行榜，VBT6045C报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
VBT6045C	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：75.69 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application • Material categorization: For definitions of compliance please	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3_V01	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application • Material categorization: For definitions of compliance please	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3SLASH4W	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3SLASH4W	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-2	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3SLASH8W	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-2	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3SLASH8W	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-M3	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application • Material categorization: For definitions of compliance please	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-M3_V01	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application • Material categorization: For definitions of compliance please	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045C-E3	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045C-E3_V01	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：83.26 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：90.14 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP_1205	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：90.14 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP_15	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：85.98 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：83.26 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3/4W	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：92.76 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3/4W	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：216.59 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3/8W	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：92.76 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3/8W	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：216.59 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3/8W	封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO236AB 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列	ETC 知名厂家	ETC
VBT6045CBP-E3-4W	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：83.26 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3-4W	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：90.14 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3-8W	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：90.14 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-E3-8W	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：83.26 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-M3	Low forward voltage drop, low power losses 文件：95.53 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-M3	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045CBP-M3/4W	封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件描述：DIODE SCHOTTKY 60A 45V TO-263AB 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列	ETC 知名厂家	ETC
VBT6045C-E3	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045C-E3	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：88.63 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045C-E3_15	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：81.5 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045C-E3-4W	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：88.63 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045C-E3-8W	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：88.63 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045C-M3	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：89.94 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045C-M3/VBT6045CHM3	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VBT6045C-M3_15	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：82.77 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
APT6045AN	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 14.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.45Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC	ISC 无锡固电	ISC
APT6045BN	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.45Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
APT6045BN	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV® N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	ADPOW	ADPOW
APT6045BNR	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.45Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
6045	SINGLE POLE, SINGLE THROW CONNECTORIZED SWITCHES 文件：40.48 Kbytes Page：1 Pages	MICRONETICS 微盟电子	MICRONETICS

VBT6045C产品属性

类型
描述
型号
VBT6045C
制造商
VISHAY
制造商全称
Vishay Siliconix
功能描述
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更新时间：2025-10-18 13:51:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	VBT6045CM3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Di	22+	TO263AB	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	VBT6045C-E3/8W	VISHAY(威世)	24+	TO-263	1471	特价优势库存质量保证稳定供货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	VBT6045CBP-E3	VISHAY/威世	24+	TO-263	60000	全新原装现货	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	VBT6045CBP-E3/8W	VISHAY	24+	N/A	5000	十年沉淀唯有原装	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	VBT6045CBP-E3/8W	VISHAY	23+	TO-263AB	50000	原装正品支持实单	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	VBT6045C-E3/8W	VISHAY(威世)	24+	TO-263	5627	百分百原装正品,可原型号开票	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	VBT6045C-M3/4W	VISHAY/威世	23+	TO-263AB	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	VBT6045CBP-E3/8W		24+	N/A	46000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	VBT6045C-E3/8W	VISHAY/威世	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	VBT6045CE3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Di	23+	TO263AB	8000	只做原装现货	询价

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VBPW34VR
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2023-2-3
VBE5415
VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.
2022-6-25
VBE2104N
VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
2022-6-25
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VC7645，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-22
VCC6-Q/R 10Mhz~270 Mhz
VCC6-Q/R 10Mhz~270 Mhz
2020-9-18

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