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VB20120S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per    JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in    accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VB20120S-E3/4W

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per    JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in    accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge

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VB20120S-E3/4W产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VB20120S-E3/4W

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
VISHAY/威世
22+
TO-263AB
82000
现货,原厂原装假一罚十!
VISHAY/威世
23+
TO-263
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
VISHAY/威世
22+
TO-263
25000
只做原装进口现货,专注配单
Vishay General Semiconductor -
25+
TO-263AB(D?PAK)
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
VISHAY/威世
TO-263
22+
6000
十年配单,只做原装
TOSHIBA/东芝
23+
SOP-8
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
24+
N/A
52000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
VISHAY/威世
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
VISHAY
1809+
TO-263
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    VAS1260,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五,八五二七四六六二 ,企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.

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