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VF20120S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per    JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in    accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片 包装:管件 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per    JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in    accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per    JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in    accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge

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VF20120S-E3/4W产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VF20120S-E3/4W

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-15 9:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
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原装现货假一赔十
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20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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