位置：首页 > IC中文资料第7122页 > VB20120C
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VB20120C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) •Componentinacco | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) •Componentinacco | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) •Componentinacco | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) •Componentinacco | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：163.15 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：163.15 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division |  | | |
TrenchMOSSchottkytechnology 文件：89.62 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：79.52 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
1200VαSiCSiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features •ProprietaryαSiCSchottkyBarrierDiodetechnology •Negligiblereverserecoverycurrent •Maximumoperatingjunctiontemperatureof175°C •Improvedswitchinglossesvs.Sibipolardiodes •Positivetemperaturecoefficientforeaseofparalleling Applications RenewableIndustr | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 |  | | |
LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER 文件：52.63 Kbytes Page：2 Pages | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 |  | | |
LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER 文件：71.1 Kbytes Page：4 Pages | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 | | | |
Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss 文件：98.01 Kbytes Page：4 Pages | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 | | | |
Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss 文件：67.95 Kbytes Page：4 Pages | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 | | |
VB20120C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VB20120C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
DIP-8 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
VISHAY |
23+ |
TO-263 |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
Vishay |
2213+ |
TO263AB |
3921 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
VISHAY |
2023+ |
TO-263 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
VIS |
23+ |
TO-263 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
VISHAY |
23+ |
TO-263 |
8600 |
全新原装现货 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
VISHAY |
2020+ |
TO-263A |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
VISHAY/威世 |
TO263AB |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
Vishay General Semiconductor - |
24+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
30000 |
二极管-分立半导体产品-原装正品 |
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2023-2-3VAWQ6-Q48-D15H
进口代理
2022-8-18VBE5415
VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.
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VBE2104N,TO-252,P-Channel100V(D-S)MOSFET
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VAS1260，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三四六九零六.V:八七六八零五五八.
2021-6-17V962PBC-33LP
二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、
2019-3-12
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