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厂家型号	VB20120C
文件大小	167.06Kbytes
页面数量	5页
功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
简称	VISHAY【威世科技】
生产厂商	Vishay Siliconix
中文名称	官网

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

类型
描述
型号
VB20120C
制造商
VISHAY
制造商全称
Vishay Siliconix
功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

VB20120C供应商...

更新时间：2025-9-30 15:49:00

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